800V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are product using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=1.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =6.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

無錫固電

N 溝道，QFET? MOSFET，800V，1.5A，6.3Ω

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 ?1.5A, 800V, RDS(on)= 6.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.75A柵極電荷低（典型值：12nC)\n?低 Crss（典型值5.5pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\"\n? 100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道 QFET? MOSFET

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 ?1.5 A，800 V，RDS(on)=6.3Ω（最大值）（VGS=10 V，ID=0.75 A 時）\n?低柵極電荷（典型值12 nC)\n?低Crss（典型值5.5 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體