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首頁(yè) >FQA8N80>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FQA8N80	文件：693.76 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：693.76 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N80	文件：369.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=8.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.55Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：369.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
FQA8N80	文件：778.5 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：778.5 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FQA8N80C	文件：602.92 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with 文件：602.92 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N80_06	文件：778.5 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：778.5 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N80_F109	文件：778.5 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：778.5 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N80C	文件：792.91 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：792.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N80C	文件：791.39 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：791.39 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N80C_06	文件：791.39 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：791.39 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQA8N80
功能描述：
MOSFET 800V N-Channel QFET Q-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQA8N80	onsemi(安森美)	25+	TO-3P	18798	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FQA8N80	FAIRCHILD	24+	TO-3PN	8866		詢價(jià)
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQA8N80	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
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更多FQA8N80供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 10:50:00

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