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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FQA8N90C	文件：691.7 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：691.7 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N90C	文件：800.75 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：800.75 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N90C	文件：807.35 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：807.35 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N90C_06	文件：800.75 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：800.75 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N90C_07	文件：807.35 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：807.35 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N90C_F109	文件：807.35 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：807.35 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N90C_F109	文件：800.75 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：800.75 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N90C-F109	文件：1.08194 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET? MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 廓文件：1.08194 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA8N90C	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FQA8N90C_F109	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 900 V, 8.0 A, 1.9 ?, TO-3P 該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 ?8A, 900V, RDS(on)= 1.9Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4A柵極電荷低（典型值：35nC)\n?低 Crss（典型值12pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS compliant;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Compliance：
Pb-free
Status：
?Active??
Description：
?N-Channel QFET? MOSFET 900V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
?
V(BR)DSS Min (V)：
900
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
8
PD Max (W)：
240
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1900
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
35
Ciss Typ (pF)：
1600
Package Type：
TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

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