Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 500 V, 13.5 A, 480 mΩ, TO-3P

這些 N 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的平面條形 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這一先進(jìn)技術(shù)是專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，以及在雪崩擊穿和換相情況下承受高能量脈沖而開發(fā)的。這些器件非常適合高效開關(guān)電源、功率因數(shù)校正和半橋拓?fù)涞碾娮訜粽髌鳌? ?13.5 A，500 V，RDS(on) = 480 mΩ（最大值），條件是 VGS = 10 V，ID = 6.75 A\n?低柵極電荷（典型值43 nC)\n?低 Crss（典型值20 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試除非另有說明，最大絕對額定值 TC = 25°C。\n?提高了 dv/dt 性能;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，F(xiàn)RFET?，500 V，15 A，480 mΩ，TO-3P

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 ?15A, 500V, RDS(on)= 480mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 7.5A柵極電荷低（典型值：43nC)\n?低 Crss（典型值20pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?快速恢復(fù)體二極管（典型值100ns)\n?Fast recovery body diode (Typ. 100ns);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel QFET? MOSFET

這些 N 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的平面條形 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這一先進(jìn)技術(shù)是專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，以及在雪崩擊穿和換相情況下承受高能量脈沖而開發(fā)的。這些器件非常適合高效開關(guān)電源、功率因數(shù)校正和半橋拓?fù)涞碾娮訜粽髌鳌? ?13.5 A，500 V，RDS(on) = 480 mΩ（最大值），條件是 VGS = 10 V，ID = 6.75 A\n?低柵極電荷（典型值43 nC)\n?低 Crss（典型值20 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試除非另有說明，最大絕對額定值 TC = 25°C。\n?提高了 dv/dt 性能;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體