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FQA11N90C-F109	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，900 V，11.0 A，1.1 ?，TO-3P 該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 ?11A, 900V, RDS(on)= 1.1Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5.5A柵極電荷低（典型值：60nC)\n?低 Crss（典型值23pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS compliant;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FQA11N90C	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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