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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FQA11N90	文件：679.35 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanch 文件：679.35 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA11N90	文件：362.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=11.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.96Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：362.88 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FQA11N90	文件：816.8 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：816.8 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA11N90	文件：828.46 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：828.46 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA11N90C	文件：362.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.1Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv 文件：362.3 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FQA11N90C	文件：707.76 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：707.76 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA11N90C-F109	文件：1.06053 Mbytes Page：8 Pages	FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：1.06053 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA11N90_06	文件：816.8 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：816.8 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA11N90_07	文件：828.46 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：828.46 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQA11N90_F109	文件：828.46 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：828.46 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

技術(shù)參數(shù)

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
?Active??
Description：
?N-Channel QFET? MOSFET 900V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
?
V(BR)DSS Min (V)：
900
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
11.4
PD Max (W)：
300
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
960
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
72
Ciss Typ (pF)：
2700
Package Type：
TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市明嘉萊科技有限公司	FQA11N90	FAIRCHILD/仙童	25+	TO-3P	154365	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市潤(rùn)聯(lián)芯城科技有限公司	FQA11N90	仙童	11+	TO-3P	52	只做原裝正品	詢價(jià)
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上海專毅電子科技有限公司	FQA11N90	FSC	17+	TO-3P	9888	原裝正品QQ547425301電話17621633780楊小姐	詢價(jià)
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQA11N90	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢	詢價(jià)

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