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FFSB1065B-F085	文件：331.61 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?strong>FFSB1065B；Package：D2PAK-3；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil 文件：331.61 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FFSB1065B	文件：356.38 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?strong>FFSB1065B；Package：D2PAK-2；Silicon Carbide Schottky Diode 文件：356.38 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
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FFSB1065B-F085_V01	文件：331.61 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil 文件：331.61 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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