Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-Channel: 30 V, 6.4 A, 26 m廓 Q2-P-Channel: -30 V, -4.5 A, 51 m廓

文件：434.76 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

雙 N 和 P 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V

這些雙通道N和P溝道增強模式功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ?Q1： N溝道7.0A，30VRDS(ON) =0.028 Ω @ VGS =10 VRDS(ON)=0.040 Ω @ VGS = 4.5 V\n?Q2： P溝道-5A，-30V RDS(ON) = 0.052 Ω @ VGS = -10 V RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = -4.5 V\n?快速開關(guān)速度\n?高功率和處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

雙 N 和 P 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V

這些雙通道N和P溝道增強模式功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ? Q1：N溝道\n?7.0 A、30 V、RDS(ON) = 0.040?(VGS = 4.5 V) Q2：P-溝道\n?快速開關(guān)速度\n?采用廣泛使用的表面貼裝封裝，具有高功率和高電流處理能力\n?符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

雙 N 和 P 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V

這些雙N和P溝道增強模式功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ? Q1： N溝道 \n? 最大值 RDS(on) = 39mΩ（VGS = 4.5V，ID = 5.2A）Q2： P溝道\n? HBM靜電放電保護(hù)等級為>3.5 kV\n? 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體