Dual N and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state ressitance and yet maintain superior switching performance. F

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fds8958/marking.html">FDS8958；Package：SOP-8；NP-Channel MOSFET

Features N-Channel VDS (V) = 30V ID = 7A (VGS = 10V) RDS(ON)

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UMW

友臺半導(dǎo)體

Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N & P-Channel PowerTrenchO MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲?。?strong>FDS8958A；Package：SO-8；Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N & P-Channel PowerTrenchO MOSFET

文件：526.11 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET

文件：804.01 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

雙 N 和 P 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V

這些雙通道N和P溝道增強模式功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ?Q1： N溝道7.0A，30VRDS(ON) =0.028 Ω @ VGS =10 VRDS(ON)=0.040 Ω @ VGS = 4.5 V\n?Q2： P溝道-5A，-30V RDS(ON) = 0.052 Ω @ VGS = -10 V RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = -4.5 V\n?快速開關(guān)速度\n?高功率和處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

雙 N 和 P 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V

這些雙通道N和P溝道增強模式功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ? Q1：N溝道\n?7.0 A、30 V、RDS(ON) = 0.040?(VGS = 4.5 V) Q2：P-溝道\n?快速開關(guān)速度\n?采用廣泛使用的表面貼裝封裝，具有高功率和高電流處理能力\n?符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體