Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

文件：121.37 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

雙 N 溝道，邏輯電平，PowerTrench? MOSFET，30V，6A，28mΩ

這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ?6 A，30 V\n?RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 10 V\n?RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = 4.5 V\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體