30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

單 N 溝道，邏輯電平，PowerTrench? MOSFET，30V，12.5A，9.5mΩ

該N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ?12.5 A，30 V\n?RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 10 V\n?RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = 4.5 V\n?超低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道 PowerTrench? SyncFET?，30V，11.5A，10.0mΩ

FDS6680AS設(shè)計用于替代同步DC:DC電源中的一個單SO-8 MOSFET和肖特基二極管。 此30V MOSFET設(shè)計用于最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換效率，提供低RDS(ON)和低柵極電荷。 FDS6680AS包含使用飛兆半導(dǎo)體單片SyncFET技術(shù)的集成肖特基二極管。 FDS6680AS在同步整流器中作為低端開關(guān)的性能與FDS6680并聯(lián)一個肖特基二極管的性能相似。 ?11.5A, 30V\n?RDS(ON) = 8.0 mΩ @ VGS = 10V\n?RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 4.5V\n?包含SyncFET肖特基體二極管\n?低柵極電荷（22nC典型值）\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)和快速開關(guān)\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

30V N-Channel PowerTrench SyncFET?

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體