P-Channel PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導體

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導體

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-30V，-13A，9mΩ

此P溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench工藝生產，這一先進工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的電源管理和負載開關應用。 ?VGS = -10V，ID = -13A時，rDS(on) = 9.3 mΩ（最大值）\n?VGS = -4.5V，ID = -11A時，rDS(on) = 14.8 mΩ（最大值）\n?擴展了VGS范圍(-25V)，適合電池應用\n?HBM靜電放電保護等級，典型值為6KV（注3）\n?高性能溝道技術可實現極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導體