絲印：FDS6679AZ；Package：SOP-8；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

APPLICATIONS ? Load Switch ? Notebook Adaptor Switch

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EVVOSEMI

翊歐

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/6679/marking.html">6679；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES -30V/-15A Rosion) =6-8MQ(Max.) @ Vg =-10V Roson =13MQ(Max) @ V,, =-4.5V

文件：1.20384 Mbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages

TECHPUBLIC

臺(tái)舟電子

P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -13A, 9mOhm

General Description This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers

文件：414 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench? MOSFET

文件：434.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= -30V, ID= -12A RDS(ON)

文件：1.69435 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages

BYCHIP

百域芯

P-Channel PowerTrench? MOSFET

文件：434.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：995.81 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-30V，-13A，9mΩ

此P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專(zhuān)為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 ?VGS = -10V，ID = -13A時(shí)，rDS(on) = 9.3 mΩ（最大值）\n?VGS = -4.5V，ID = -11A時(shí)，rDS(on) = 14.8 mΩ（最大值）\n?擴(kuò)展了VGS范圍(-25V)，適合電池應(yīng)用\n?HBM靜電放電保護(hù)等級(jí)，典型值為6KV（注3）\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體