500V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，500 V，16A，380m?，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形技術(shù)和 DMOS 技術(shù)。 該 MOSFET 產(chǎn)品專(zhuān)用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開(kāi)關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。 該器件系列適用于開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示器（FPD）電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。 ?RDS(on) = 380m? （最大值）@ VGS = 10V, ID = 8.3A\n?低柵極電荷（典型值 32nC)\n?低 Crss（典型值 20pF)\n?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，Ultra FRFETTM，500 V，15 A，480 mΩ，TO-220F

UniFETTMMOSFET 是飛兆半導(dǎo)體的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形技術(shù)和 DMOS 技術(shù)。該 MOSFET 產(chǎn)品專(zhuān)用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開(kāi)關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有非常卓越的體二極管反向恢復(fù)性能。其 trr小于 50 nsec 且反向 dv/dt 抗擾度為 20 V/nsec，而一般的平面 MOSFET 產(chǎn)品分別為 200 nsec 以上和 4.5 V/nsec。因此，UniFET Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 體二極管性能改進(jìn)的某些應(yīng)用中可消除多余的元件，并提高系統(tǒng)的可靠性 ?RDS(on) = 370m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 7.5A柵極電荷低（典型值：32nC)\n?低 Crss（典型值20pF)\n?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試\n?提高了 dv/dt 性能\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體