isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=235A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.2mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

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ISC

無錫固電

N-Channel PowerTrench? MOSFET 75V, 235A, 3.2m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，75V，235A，3.2mΩ

該 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的 PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 2.5m? （典型值）@ VGS = 10V，ID = 75A\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 75V, 235A, 3.2m廓

文件：283.42 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，80V，211A，3.3mΩ

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 2.85mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 50A\n?低 FOM RDS(on)*QG\n?低反向恢復(fù)電荷，Qrr\n?反向恢復(fù)軟體二極管\n?使能高效同步整流\n?快速開關(guān)速度\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體