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          FDMT1D3N08B

          N 溝道,雙 CoolTM 88 PowerTrench? MOSFET,80V,164A,1.35mΩ

          此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)。 先進(jìn)的硅技術(shù)和 Dual CoolTM封裝技術(shù)完美融合,可在提供最小 rDS(on)的同時(shí)通過(guò)極低的結(jié)至環(huán)境熱阻保持卓越的開關(guān)性能。 ? 最大值 rDS(on) = 0.56 mΩ(VGS = 10 V、ID = 64 A)\n? 最大值 rDS(on) = 0.9 mΩ(VGS = 6 V、ID = 47 A)\n? 先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)完美融合,實(shí)現(xiàn)了低 rDS(on)和高效率\n?下一代增強(qiáng)體二極管技術(shù),設(shè)計(jì)用于軟件恢復(fù)\n?薄型 8x8mm MLP 封裝\n?MSL1 強(qiáng)健封裝設(shè)計(jì)\n? 100% 經(jīng)過(guò) UIL 測(cè)試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) ;

          ONSEMI

          安森美半導(dǎo)體

          FDMT1D3N08B

          N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET

          文件:1.61328 Mbytes 頁(yè)數(shù):10 Pages

          ONSEMI

          安森美半導(dǎo)體

          FDN304P

          SOT23-3

          ON

          FDN304P-NL

          SOT

          FAIRCHILD/仙童

          FDN306P

          SOT23

          FAIRCHILD

          仙童半導(dǎo)體

          上傳:深圳市東來(lái)寶電子科技有限公司

          技術(shù)參數(shù)

          • Pb-free:

            Pb

          • Halide free:

            H

          • Status:

            Active

          • Channel Polarity:

            N-Channel

          • Configuration:

            Single

          • V(BR)DSS Min (V):

            80

          • VGS Max (V):

            ±20

          • VGS(th) Max (V):

            4

          • ID Max (A):

            164

          • PD Max (W):

            178

          • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

            1.35

          • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

            152

          • Ciss Typ (pF):

            14000

          • Package Type:

            PQFN-8

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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          更多FDMT1D3N08B供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-20 18:46:00
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