60V N溝道PowerTrench? MOSFET

這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級(jí)PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越的開關(guān)性能而量身定制。 ? 最大rDS(on) = 1.65 mΩ（VGS = 10 V，ID = 32 A）\n? 最大rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 8 V，ID = 27 A）\n? 低rDS(on)和高效的高級(jí)硅封裝\n?MSL1 耐用封裝設(shè)計(jì)\n?100% 經(jīng)過(guò) UIL 測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：472.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，60V，245A，1.65mΩ

飛兆先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并提供卓越開關(guān)性能而量身定制的。 ?擴(kuò)展額定 TJ 至 175°C\n? 最大值 rDS(on) = 1.65 mΩ（VGS = 10 V、ID = 32 A）\n? 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 8 V, ID = 27 A）\n? 低 rDS(on)和高效的先進(jìn)硅封裝\n?MSL1 耐用封裝設(shè)計(jì)\n?100% 經(jīng)過(guò) UIL 測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

QFN8

ON

上傳：深圳市華來(lái)深電子有限公司

SOT23-3

ON

上傳：深圳市科達(dá)星科技有限公司