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FDMS9600S	文件：329.04 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：329.04 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDMS9600S	文件：507.02 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：507.02 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDMS9600S_08	文件：507.02 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：507.02 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDMS9600S	文件：300 bytes Page：1 Pages	雙 N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V 該器件包含兩個(gè)專用MOSFET，采用獨(dú)特的雙功率56封裝。該器件設(shè)計(jì)用于提供一個(gè)最佳效率和PCB使用的同步降壓功率級。低傳導(dǎo)損耗低端SyncFET是低開關(guān)損耗高端MOSFET的補(bǔ)充器件?。 ? Q1 N溝道 \n? 最大值 RDS(on) = 8.5mΩ（VGS = 10V，ID = 12A）\n? 最大值 RDS(on) = 12.4mΩ（VGS = 4.5V，ID = 10A）Q2 N溝道\n? 最大值 RDS(on) = 5.5mΩ（VGS = 10V，ID = 16A）\n? 最大值 RDS(on) = 7.0mΩ（VGS = 4.5V，ID = 14A）\n? 低QD高端MOSFET \n? 低RDS(on)低端MOSFET;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多FDMS9600S供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 20:45:00