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FDMS86369-TP	文件：5.92816 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features \| + Advanced trench cell design ?Low Thermal Resistance ~~ + Low Gate Charge 文件：5.92816 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	TECHPUBLIC 臺舟電子	TECHPUBLIC
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FDD86369	文件：1.0335 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ? VDS= 80 V, ID= 95A RDS(ON) 文件：1.0335 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
FDD86369	文件：330.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7.9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：330.61 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

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