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FDMS86320	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，PowerTrench? MOSFET，80V，44A，11.7mΩ 此N溝道MOSFET使用同步或傳統(tǒng)的開關PWM控制器，專為提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的整體效率并最大限度降低其開關節(jié)點振鈴噪聲而設計。已經(jīng)針對低柵極電荷、低rDS(on)、快速開關速度和軟體二極管反向恢復性能進行了優(yōu)化。 ? Max rDS(on) = 11.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.5 A\n? Max rDS(on) = 15 mΩ at VGS = 8 V, ID = 8.5 A\n? Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency\n? Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery\n? MSL1 robust package design\n? 100%;	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
FDMS86320	文件：289.39 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：289.39 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FDMC86320	文件：412.75 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 22 A, 11.7 m 文件：412.75 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FDMS9600S	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN8	ON 上傳：深圳市華來深電子有限公司	ON
FDN304P	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	ON 上傳：深圳市科達星科技有限公司	ON

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更多FDMS86320供應商更新時間2026-1-20 9:38:00