P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-150V，-22A，53mΩ

此 P 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ? 最大 rDS(on) = 53 mΩ，需 VGS = -10 V、ID = -4.4 A\n? 最大 rDS(on) = 53 mΩ，需 VGS = -10 V、ID = -4.4 A\n? 中壓 P 溝道硅技術(shù)的 Rds-on 極低，經(jīng)優(yōu)化非常適用于 Qg較低的情況\n?本品十分適用于需要快速開關(guān)和負(fù)載開關(guān)的場合\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

QFN8

ON

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SOT23-3

ON

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SOT

FAIRCHILD/仙童

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