N 溝道，PowerTrench? MOSFET，40V，76A，3.1mΩ

此 N 溝道 MOSFET 使用同步或傳統(tǒng)的開關(guān) PWM 控制器，專為提高 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的整體效率并最大限度降低其開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴噪聲而設(shè)計(jì)。 已經(jīng)針對低柵極電荷、低RDS(on)、快速開關(guān)速度和軟體二極管反向恢復(fù)性能進(jìn)行了優(yōu)化。 ? 最大值 RDS(on) = 3.1 mΩ（VGS = 10 V, ID = 22 A時(shí)）\n? 最大值 RDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 19 A時(shí)）\n? 低 rDS(on) 和高效的先進(jìn)硅封裝\n? 下一代先進(jìn)體二極管技術(shù)，專為軟恢復(fù)設(shè)計(jì)\n? MSL1 耐用封裝設(shè)計(jì)\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs

General Description These N & P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and batte

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

GaAlAs Laser Diode

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