P 溝道 PowerTrench? MOSFET -30V，-82A，6.8mΩ

FDMS6673BZ旨在最大限度地減少負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的損耗。 先進(jìn)的硅技術(shù)和封裝技術(shù)完美融合，提供了最低rDS(on)和ESD保護(hù)。 ?VGS = -10 V，ID = -15.2 A時(shí)，最大rDS(on) = 6.8 mΩ\n?VGS = -4.5 V，ID = -11.2 A時(shí)，最大rDS(on) = 12.5 mΩ\n?先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)完美融合，實(shí)現(xiàn)了低rDS(on)\n?HBM ESD保護(hù)等級(jí) = 8 kV典型值 （注3）\n?MSL1耐用封裝設(shè)計(jì)\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench? MOSFET -30 V, -28 A, 6.8 m?

文件：283.67 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

文件：130.669 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m Ohm

文件：376.5 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：994.95 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體