P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m Ohm

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲?。?strong>FDS6673BZ；Package：SO-8；P-Channel PowerTrench? MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m廓

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-30V，14.5A，7.8mΩ

此P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻而定制的。 該器件非常適合筆記本電腦和便攜電池組中的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。 ?最大rDS(on) = 7.8mΩ，VGS = -10V，ID = -14.5A\n?最大rDS(on) = 12mΩ，VGS = -4.5V，ID = -12A\n?擴展了VGS范圍(-25V)，適合電池應(yīng)用\n?HBM ESD保護(hù)等級，典型值為6.5KV（注3）\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-30V，-14.5A，7.8m?

此 P 溝道 MOSFET 采用飛兆先進(jìn)的 Power Trench? 工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻而定制的。該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。 ?最大 rDS(on) = 7.8 m?、VGS = -10 V、ID = -14.5 A\n?Max rDS(on) = 12m?，VGS = -4.5V，ID = -12A\n?擴展了VGS范圍(-25V)，適合電池應(yīng)用\n?HBM靜電放電保護(hù)等級，典型值為6.5KV（注3）\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體