不對稱雙 N 溝道，PowerTrench? 功率級 MOSFET，30V

該器件在雙PQFN封裝中包括兩個專用N溝道MOSFET。 該開關(guān)節(jié)點通過內(nèi)部連接，能夠為同步降壓轉(zhuǎn)換器提供簡單的布局和布線。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET? (Q2) 旨在提供優(yōu)化的功效。 ? ? Q1： N 溝道 \n? rDS(on)最大值 = 11 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 11 A? Q2： N 溝道 \n? rDS(on)最大值 = 1.8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 30 A\n? rDS(on)最大值 = 2.2 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 27 A? 低電感封裝縮短了上升/下降時間，從而減少了開關(guān)損耗? MOSFET集成可實現(xiàn)降低電路電感以及開關(guān)節(jié)點振鈴噪聲的優(yōu)化布局? 符合 RoHS 標準\n? RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

PowerTrench? Power Stage

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

PowerTrench? Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

LOWPASS FILTER

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MARKIMICROWAVE

HAND HELD PLASTIC STYLE 3

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BUD