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FDMS3660S	文件：300 bytes Page：1 Pages	不對稱雙 N 溝道，PowerTrench? 功率級 MOSFET，30V 該器件在雙PQFN封裝中包括兩個專用N溝道MOSFET。該開關節(jié)點通過內部連接，能夠為同步降壓轉換器提供簡單的布局和布線。控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供優(yōu)化的功效。 ? Q1: N 溝道\n? 最大值 rDS(on) = 8 mΩ（在 VGS = 10 V，ID = 13 A 時）\n? 低電感封裝縮短了上升/下降時間，從而降低了開關損耗\n? MOSFET 集成可實現(xiàn)降低電路電感以及開關節(jié)點振鈴噪聲的優(yōu)化布局\n? 符合 RoHS 標準;	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
FDMS3660S	文件：580.29 Kbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/22cf07od/marking.html">22CF07OD；Package：Power56；PowerTrench? Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET 文件：580.29 Kbytes 頁數：15 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FLP-3660	文件：309.29 Kbytes Page：2 Pages	LOWPASS FILTER 文件：309.29 Kbytes 頁數：2 Pages	MARKIMICROWAVE	MARKIMICROWAVE
HP-3660-B	文件：225.92 Kbytes Page：2 Pages	HAND HELD PLASTIC STYLE 3 文件：225.92 Kbytes 頁數：2 Pages	BUD	BUD
JHV3660	文件：108.83 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE RECTIFIER ASSEMBLY 文件：108.83 Kbytes 頁數：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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