N 溝道，UltraFET Trench? MOSFET，250V，14A，122mΩ

UItraFET器件結(jié)合了各種特性，可在功率轉(zhuǎn)換應用中提供基準效率。 由于針對rDS(on)、低ESR、低總電荷和米勒柵極電荷進行了優(yōu)化，這些器件是高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇。 ?VGS = 10V，ID = 2.8A時，最大rDS(on) = 122 mΩ\n?VGS = 6V，ID = 1.7A時，rDS(on) = 130 mΩ（最大值）\n?低米勒電荷\n?優(yōu)化高頻率時的效率\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體

N-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 14A, 122mohm

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FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm

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FAIRCHILD

仙童半導體

Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs

General Description The FKCC2734 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. The FKCC2734 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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FETEK

臺灣東沅

NPN (MIXER, OSC. FOR UHF TV TUNER)

MIXER, OSC. FOR UHF TV TUNER

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SAMSUNG

三星