N 溝道，UItraFET Trench? MOSFET，250V，3.0A，117mΩ

此單 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體公司先進的 UItraFET Trench? 工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?最大 rDS(on) = 117 mΩ（VGS = 10 V、ID = 3.0 A）\n?最大 rDS(on) =126 mΩ（VGS = 6 V、ID = 2.8 A）\n?快速開關(guān)速度\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs

General Description The FKCC2734 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. The FKCC2734 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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FETEK

臺灣東沅

NPN (MIXER, OSC. FOR UHF TV TUNER)

MIXER, OSC. FOR UHF TV TUNER

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SAMSUNG

三星

Plug-in Signal Conditioners K-UNIT

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MSYSTEM

愛模