絲?。?strong>FDS2672；N-Channel UltraFET Trench? MOSFET 200V, 3.9A, 70mΩ

Features Max rDS(on) = 70mΩ at VGS = 10V, ID = 3.9A Max rDS(on) = 80mΩ at VGS = 6V, ID = 3.5A Fast switching speed High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS compliant General Description This single N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s

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ONSEMI

安森美半導體

N-Channel MOSFET

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KEXIN

科信電子

N-Channel UltraFET Trench? MOSFET 200V, 3.9A, 70m?

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FAIRCHILD

仙童半導體

N 溝道，UltraFET Trench? MOSFET，200V，3.9A，70mΩ

此單N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低導通電阻并保持卓越開關性能而定制的。 ?VGS = 10V，ID = 3.9A時，最大rDS(on) = 70mΩ\n?VGS = 6V，ID = 3.5A時，最大rDS(on) = 80 mΩ\n?快速開關速度\n?高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?符合RoHS標準;

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安森美半導體

N-Channel UltraFET Trench? MOSFET

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仙童半導體

N-Channel UltraFET Trench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導體

N 溝道，UltraFET? 溝槽，200V，3.9A，70mΩ

此單 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導體公司先進的 UItraFET Trench? 工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關性能而定制的。 ?最大 rDS(on) = 70 m?（VGS = 10 V、ID = 3.9 A）\n?最大 rDS(on) = 80 m?（VGS = 6 V、ID = 3.5 A）\n?快速開關速度\n?高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n?符合 AEC Q101 標準\n?符合 RoHS 標準;

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