60V N 溝道 PowerTrench? MOSFET

該N溝道MOSFET專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)總體效率和在最大程度上減少DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)結(jié)點振鈴而設(shè)計。已經(jīng)針對低柵極電荷、低rDS(on)、快速開關(guān)速度和軟體二極管反向恢復(fù)性能進(jìn)行了優(yōu)化。 ?VGS = 10 V，ID = 13.5 A時，最大rDS(on) = 7.9mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 11.5 A時，最大rDS(on) = 11.7mΩ\n?薄型 - 最大1 mm，采用Power 33封裝\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET 60 V, 22 A, 7.9 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60 V, 42 A, 7.4 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60 V, 22 A, 8.2 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體