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FDMC86240	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，Power Trench? MOSFET，150V，16A，51mΩ N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進 PowerTrench?工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ?屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大 rDS(on) = 51 mΩ（VGS=10 V、ID=4.6 A 時）\n? 最大 rDS(on) = 70 mΩ（VGS=6 V、ID=3.9 A 時）\n?薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封裝\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDMC86240	文件：321.18 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Trench? MOSFET 文件：321.18 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDS86240	文件：244.35 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 150 V, 7.5 A, 19.8 m廓文件：244.35 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDMC86244	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN-8	FSC 上傳：深圳市鵬越電子公司	FSC
FDMC89521L	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN8	ON 上傳：深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	ON

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更多FDMC86240供應(yīng)商更新時間2026-1-20 10:50:00