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FDMC86184	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道屏蔽門極 PowerTrench? MOSFET 100 V，53 A，8.5 mΩ N 溝道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先進(jìn) PowerTrench? 工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。該工藝已優(yōu)化實(shí)現(xiàn)最小的通態(tài)電阻，同時(shí)通過業(yè)界最佳的軟體二極管保持卓越的開關(guān)性能。 ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 21 A）\n? 最大值 rDS(on) = 24.8 mΩ（VGS = 6 V, ID = 10 A 時(shí)）\n? 比其他 MOSFET 供應(yīng)商的 Qrr 低 50%\n? 降低了開關(guān)噪聲/EMI\n? MSL1 強(qiáng)健封裝設(shè)計(jì)\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDMC86184	文件：393.96 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 文件：393.96 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
86184CY	文件：411.83 Kbytes Page：4 Pages	18 (41/34) AWG Tinned Copper 文件：411.83 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ALPHAWIRE	ALPHAWIRE
FDMC86244	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN-8	FSC 上傳：深圳市鵬越電子公司	FSC
FDMC89521L	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN8	ON 上傳：深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	ON

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更多FDMC86184供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 15:08:00