N-Channel Power Trench? MOSFET 100 V, 20 A, 24 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，100 V，20 A，24 mΩ

N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn) PowerTrench?工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。該工藝經(jīng)優(yōu)化，適用通態(tài)電阻優(yōu)化，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ?屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大值 rDS(on) = 24 mΩ（需 VGS = 10 V, ID = 7 A）\n? 最大值 rDS(on) = 38 mΩ（需 VGS = 6 V, ID = 5 A）\n? 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封裝\n?100% 經(jīng)過 UIL 測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET 100 V, 20 A, 24 m廓

文件：283.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET

文件：266.05 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

100V N 溝道 Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)PowerTrench?工藝制造而成，該工藝集成了屏蔽柵極技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大 rDS(on) = 23 mΩ（VGS=10 V、ID=7 A 時(shí)）\n? 最大 rDS(on) = 34 mΩ（VGS=4.5 V、ID=5.5 A 時(shí)）\n? 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封裝\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，100 V，22A，24mΩ

各 N 溝道邏輯電平 MOSFET 均采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝制造而成，集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 旨在為增強(qiáng)ESD電壓電平而增加了G-S齊納管。 ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大 rDS(on)=24 mΩ，當(dāng) VGS=10 V、ID=6.5 A\n? 最大 rDS(on)=35 mΩ，當(dāng) VGS=4.5 V、ID=5.5 A\n? HBM 靜電放電保護(hù)等級(jí)一般達(dá)到 >6 KV（注 4）\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測(cè)試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體