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          首頁(yè) >FDMC86102L>規(guī)格書列表

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          FDMC86102L

          100V N 溝道 Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

          N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)PowerTrench?工藝制造而成,該工藝集成了屏蔽柵極技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻,卻仍保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。 ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大 rDS(on) = 23 mΩ(VGS=10 V、ID=7 A 時(shí))\n? 最大 rDS(on) = 34 mΩ(VGS=4.5 V、ID=5.5 A 時(shí))\n? 薄型 - 最大 1 mm,采用 Power 33封裝\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

          ONSEMI

          安森美半導(dǎo)體

          FDMC86102LZ

          N 溝道,屏蔽門極,PowerTrench? MOSFET,100 V,22A,24mΩ

          各 N 溝道邏輯電平 MOSFET 均采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝制造而成,集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻,卻仍保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。 旨在為增強(qiáng)ESD電壓電平而增加了G-S齊納管。 ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大 rDS(on)=24 mΩ,當(dāng) VGS=10 V、ID=6.5 A\n? 最大 rDS(on)=35 mΩ,當(dāng) VGS=4.5 V、ID=5.5 A\n? HBM 靜電放電保護(hù)等級(jí)一般達(dá)到 >6 KV(注 4)\n? 100% 經(jīng)過(guò) UIL 測(cè)試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

          ONSEMI

          安森美半導(dǎo)體

          FDMC86102LZ

          N-Channel Power Trench? MOSFET

          文件:266.05 Kbytes 頁(yè)數(shù):7 Pages

          FAIRCHILD

          仙童半導(dǎo)體

          FDMS86102LZ

          N-Channel Power Trench? MOSFET 100 V, 22 A, 25 m廓

          文件:306.54 Kbytes 頁(yè)數(shù):7 Pages

          FAIRCHILD

          仙童半導(dǎo)體

          FDT86102LZ

          N-Channel MOSFET

          文件:233.34 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

          KEXIN

          科信電子

          FDT86102LZ

          N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 6.6 A, 28 m廓

          文件:257.82 Kbytes 頁(yè)數(shù):6 Pages

          FAIRCHILD

          仙童半導(dǎo)體

          技術(shù)參數(shù)

          • Pb-free:

            Pb

          • Halide free:

            H

          • Status:

            Active

          • Channel Polarity:

            N-Channel

          • Configuration:

            Single

          • V(BR)DSS Min (V):

            100

          • VGS Max (V):

            ±20

          • VGS(th) Max (V):

            3

          • ID Max (A):

            18

          • PD Max (W):

            41

          • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

            34

          • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

            23

          • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

            7.3

          • Ciss Typ (pF):

            999

          • Package Type:

            WDFN-8

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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          更多FDMC86102L供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-21 18:07:00
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