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FDMC8010ET30	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，174A，1.3mΩ 此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 Power Trench? 工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻而定制的。此器件非常適合需要在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)低rDS(on)的應(yīng)用，例如高性能VRM、POL和Oring功能。 ?TJ額定值擴(kuò)展：175°C\n? 最大值 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 30 A）\n? 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 25 A）\n? 高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?終端無引線且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDMC8010ET30	文件：577.41 Kbytes Page：8 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fdmc8010et/marking.html">FDMC8010ET；Package：Power33；MOSFET ??N-Channel, POWERTRENCH 文件：577.41 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDMC86139P	文件：0 bytes Page：0 Pages	Power-33-8	ON 上傳：深圳市芯巴巴科技有限公司	ON
FDMC86244	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN-8	FSC 上傳：深圳市鵬越電子公司	FSC
FDMC89521L	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN8	ON 上傳：深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	ON

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更多FDMC8010ET30供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 14:00:00