N-Channel Power Trench? MOSFET 30 V, 13.3 A, 8.5 m

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET

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仙童半導(dǎo)體

N 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V，13.3A，8.5mΩ

此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻而定制的。 該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。 ?VGS = 10 V，ID = 13.3 A時(shí)，最大rDS(on) = 8.5 mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 10.6 A時(shí)，最大rDS(on) = 11.5 mΩ\n?通態(tài)電阻rDS(on)極低的高性能技術(shù)\n?終端是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鉛產(chǎn)品;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH, SyncFET 30 V, 18 A, 9.3 m

General Description This FDMC7692S is produced using onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery P

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET

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仙童半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? SyncFETTM

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仙童半導(dǎo)體

N 溝道，Power Trench? SyncFET?，30V，18A，9.3mΩ

此FDMC7692S采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。 ?VGS = 10 V，ID = 12.5 A時(shí)，最大rDS(on) = 9.3 mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 10.4 A時(shí)，最大rDS(on) = 13.6 mΩ\n?通態(tài)電阻rDS(on)極低的高性能技術(shù)\n?終端是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鉛產(chǎn)品;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體