Single N-Channel Power Trench? MOSFET 30 V, 9.0 A, 16 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導體

單 N 溝道，Power Trench? MOSFET，30V，9.0A，16mΩ

此N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進工藝已針對rDS(on)開關(guān)性能進行了優(yōu)化。 ?VGS = 10 V，ID = 9.0 A時，最大rDS(on) = 16mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 8.5 A時，最大rDS(on) = 19mΩ\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n?快速開關(guān)速度\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Application ? DC — DC Buck Converters ? Load switch ? Power management ? Motor Control Portable Power Adaptors

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TECHPUBLIC

臺舟電子

N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 16.5A, 14mohm

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FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.02179 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages

VBSEMI

微碧半導體

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m Ohm

文件：246.55 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體