N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 16.5A, 14mohm

文件：409.73 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.02179 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，16.5A，14mΩ

此N溝道MOSFET是采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)的穩(wěn)固柵極版本。 已針對電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 ?VGS = 10V，ID = 9.6A時，最大RDS(on) = 14mΩ\n?VGS = 4.5V，ID = 8.7A時，最大rDS(on) = 17 mΩ\n?薄型 - 最大1mm，采用Power 33封裝\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET 30V, 16.5A, 14m

文件：953.8 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體