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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDD86102LZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道屏蔽門極 PowerTrench? MOSFET 100 V，35 A，22.5 mΩ 此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻而定制的。旨在為增強(qiáng)ESD電壓電平而增加了G-S齊納管。 ?VGS = 10 V，ID = 8 A時(shí)，最大rDS(on) = 22.5 mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 7A時(shí)，最大rDS(on) = 31 mΩ\n?HBM ESD保護(hù)等級(jí)> 6 KV典型值（注4）\n?與其他溝道技術(shù)相比，具有極低的Qg和Qgd\n?快速開(kāi)關(guān)速度\n?100%經(jīng)過(guò)UIL測(cè)試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDD86102LZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 mΩ	Diodes 美臺(tái)半導(dǎo)體	Diodes

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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	FDD86102	NK/南科功率		TO-252-2	2255	國(guó)產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量	詢價(jià)

更多FDD86102供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 10:15:00