isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

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ISC

無(wú)錫固電

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

文件：690.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 36 A, 24 m廓

文件：396.48 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，屏蔽門(mén)極，PowerTrench? MOSFET，100 V，36 A，24 mΩ

這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級(jí)PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為實(shí)現(xiàn)rDS(on)、開(kāi)關(guān)性能以及堅(jiān)固性而優(yōu)化。 ?VGS = 10 V，ID = 8 A時(shí)，Max rDS(on) = 24 mO\n?最大rDS(on) = 38 mO （VGS = 6 V, ID = 6 A）\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的rDS(on)\n?高功率和高電流處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝\n?與其他溝道技術(shù)相比，具有極低的Qg和Qgd \n?快速開(kāi)關(guān)速度\n?100%經(jīng)過(guò)UIL測(cè)試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

文件：690.05 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件：960.99 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

文件：372.26 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

文件：372.26 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

DIODES

美臺(tái)半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：282.44 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages

ISC

無(wú)錫固電

N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

文件：372.26 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體