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首頁 >絲印反查>FDD5614P

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDD5614P	文件：353.21 Kbytes Page：8 Pages	絲印：FDD5614P；60V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. Applications ? DC/DC converter ? Power management ? Load switch Features ? –15 A, –60 V. RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = –10 V RDS(ON) = 130 文件：353.21 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
FDD5614P	文件：353.21 Kbytes Page：8 Pages	絲?。?strong>FDD5614P；60V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. Applications ? DC/DC converter ? Power management ? Load switch Features ? –15 A, –60 V. RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = –10 V RDS(ON) = 130 文件：353.21 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
FDD5614P	文件：912.24 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ? VDS= -60V, ID= -20A RDS(ON) 文件：912.24 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
FDD5614P	文件：81.67 Kbytes Page：6 Pages	60V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. Applications Features ? –15 A, –60 V. RDS(ON)= 100 m?@ VGS= –10 V RDS(ON)= 130 m?@ VGS= –4.5 V ? Fast swi 文件：81.67 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FDD5614P	文件：106.43 Kbytes Page：6 Pages	60V P-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：106.43 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FDD5614P	文件：310.15 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：310.15 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FDD5614P	文件：990.06 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：990.06 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
FDD5614P_05	文件：106.43 Kbytes Page：6 Pages	60V P-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：106.43 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD

詳細參數(shù)

型號：
FDD5614P
功能描述：
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多FDD5614P供應商更新時間2026-1-18 8:01:00

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