N 溝道 PowerTrench? MOSFET，30 V，8.0 A，16 mΩ

該N溝道MOSFET由飛兆半導體先進的Power Trench?工藝制成。該工藝專為rDS(on)和開關性能而優(yōu)化。 ?VGS = 10V，ID = 8.0 A時，最大rDS(on) = 16mΩ\n?VGS = 4.5V，ID = 7.5 A時，最大rDS(on) = 18mΩ\n?高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n?快速開關速度\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 8.0 A, 16 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m ohm

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FAIRCHILD

仙童半導體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 15mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

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ISC

無錫固電