isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 15mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

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ISC

無錫固電

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON)

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BYCHIP

百域芯

N-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m ohm

文件：405.26 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

30V N溝道PowerTrench? MOSFET

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計的。 已針對低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。 ?RDS(ON) = 15 mΩ @ VGS = 10V @ ID = 35A\n?RDS(ON) = 18.5 mΩ @ VGS = 4.5V @ ID = 35A\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?低柵極電荷\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體