N 溝道屏蔽門極 Power Trench? MOSFET，100 V，2.7 A，109 mΩ

這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級(jí)PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為實(shí)現(xiàn)rDS(on)、開關(guān)性能以及堅(jiān)固性而優(yōu)化。 ?VGS = 10 V，ID = 2.7 A時(shí)，rDS(on) = 109mΩ（最大值）\n?VGS = 6 V，ID = 2.1 A時(shí)，rDS(on) = 176mΩ（最大值）\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的rDS(on)\n?高功率和高電流處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝\n?快速開關(guān)速度\n?100%經(jīng)過UIL測(cè)試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 2.7 A, 109 m

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

100V 3.5A N-Channel MOSFET

General Features ? Vos = 100VIp = 3.54 Rosow

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TECHPUBLIC

臺(tái)舟電子

Non-isolated step-down LED driver IC

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FUMAN

富滿微