N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 2.7 A, 109 m

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，100V，2.7A，109mΩ

這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為實現(xiàn)rDS(on)、開關(guān)性能以及堅固性而優(yōu)化。 ?VGS = 10 V，ID = 1.5 A時，最大rDS(on) = 109 mΩ\n?VGS = 6 V，ID = 1.2 A時，最大rDS(on) = 175 mΩ\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?在廣泛使用的表面貼裝封裝中可實現(xiàn)高功率和高電流處理能力\n?快速開關(guān)速度\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

100V 3.5A N-Channel MOSFET

General Features ? Vos = 100VIp = 3.54 Rosow

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TECHPUBLIC

臺舟電子

Non-isolated step-down LED driver IC

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FUMAN

富滿微

Non-isolated step-down LED driver IC

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FUMAN

富滿微

Non-isolated step-down LED driver IC

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FUMAN

富滿微