絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/301/marking.html">301；Package：SOT-26；Dual N-Channel , Digital FET

General Description These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed espec

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FAIRCHILD

仙童半導體

絲印：301；Package：SOT-26；Dual N-Channel , Digital FET

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FAIRCHILD

仙童半導體

Dual N-Channel , Digital FET

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FAIRCHILD

仙童半導體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/301p/marking.html">301P；Package：SOT23-6；Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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TECHPUBLIC

臺舟電子

雙 N 溝道，數字 FET，25V，0.22A，4Ω

這些雙N溝道邏輯電平增強模式場效應晶體管采用飛兆半導體專有的高電池密度DMOS技術生產。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應用設計，以替代數字晶體管。 由于不要求偏壓電阻，此類N溝道FET能替代多種具有不同偏壓電阻的數字晶體管。 ?25V、0.22A（連續(xù)值）、0.5A（峰值） \n?RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V\n?RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V\n?柵極驅動電平要求極低，從而可在3V電路中直接運行。 VGS(th) < 1.5V\n?柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型;

ONSEMI

安森美半導體