isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=120A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 75V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor Drive, DC-DC Converter, Power Switch and Solenoid Drive.

文件：316.78 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

N-Channel PowerTrench? MOSFET 75V, 235A, 3.2m廓

文件：552.79 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道 PowerTrench? MOSFET 75V，235A，3.2mΩ

該 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的 PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 2.5m? （典型值）@ VGS = 10V，ID = 75A\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的 RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 75V, 235A, 3.2m廓

文件：624.32 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=235A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.2mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件：331.82 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

N-Channel MOSFET

文件：1.87092 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages

KERSEMI