isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 46A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 85mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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ISC

無錫固電

功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET? II，800 V，46 A，85 mΩ，TO-247

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項技術(shù)專用于最小化導通損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常適合開關(guān)電源應用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應用。 ?典型值 RDS(on) = 67 mΩ\n?850 V @ TJ = 150°C\n?超低柵極電荷（典型值 Qg = 196 nC）\n?低 EOSS（典型值 18 uJ @ 400 V）\n?低有效輸出電容（典型值 Coss(eff.) = 568 pF）\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體

N/O

ON

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TO-220F

NEC

瑞薩

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N/O

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