N-Channel SuperFET? II FRFET? MOSFET

Description SuperFET? II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 37A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 104mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

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ISC

無錫固電

絲印：FCH104N60F；Package：TO-247；MOSFET – N-Channel, SUPERFET II, FRFET 600 V, 37 A, 104 m

Description SUPERFET? II MOSFET is ON Semiconductor’s brand?new high voltage super?junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on?resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide supe

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET? II，F(xiàn)RFET?，600 V，37 A，104 mΩ，TO-247

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項(xiàng)技術(shù)專用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET 非常適合開關(guān)電源應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應(yīng)用。 SuperFET II FRFET? MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。 ? RDS（開）=104 mΩ (最大值)\n?超低柵極電荷（典型值 Qg = 107 nC)\n?低效輸出電容100%經(jīng)過雪崩測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道，SuperFET II? FRFET MOSFET 600V，37A，91mΩ

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻 和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項(xiàng)技術(shù)專用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。因此 SuperFETII 非常適合軟開關(guān)和硬開關(guān)拓?fù)洌绺唠妷喝珮蚝桶霕?DC-DC、交錯(cuò)式 PFC 升壓、HEV-EV 汽車 PFC 升壓。SuperFET II FRFET? MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。 ? 典型值 RDS(on) = 91 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18.5 A）\n? 典型值 Qg(tot) = 109 nC（VGS = 10 V、ID = 18.5 A）\n? UIS 能力\n? 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n? 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體