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FB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power 文件：135.44 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
FCD9N60N	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 文件：784.87 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FCD9N60NTM	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 文件：784.87 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FCD9N60NTM	文件：353.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 385mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：353.76 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

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更多FB9N60A供應(yīng)商更新時間2026-1-20 16:10:00